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MOSFET

PMS35E06GG

MOSFET

PMS35E06GG 为MOSFET,采用 PDFN5060-8L 封装。

PDFN5060-8L 符合 RoHS 无卤 现货供应
PDFN5060-8L 3D package render
封装 — PDFN5060-8L
产品特性
  • 60V, -20A
  • High Power and Current Handing Capability
  • 100% UIs Gate Resistance (rg) Testing
应用领域
  • WM Application
  • Load Switch
  • ower Management
  • Back-to-back VBUS Protection
关键规格
Product Name
PMS35E06GG
Package
PDFN5060-8L
Category
P+P
VDS (V)
-60
ID (A)
-20
RDS(ON)@VG=10V Typ. (mΩ)
35
RDS(ON)@VG=10V Max. (mΩ)
45
RDS(ON)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
45
RDS(ON)@VG=4.5V Max. (mΩ)
58
VGS Max. (±V)
±20
VGS(TH) Min. (V)
-1.1
VGS(TH) Typ. (V)
-1.6
VGS(TH) Max. (V)
-2.2
COSS Typ. (pF)
421
CISS Typ. (pF)
3356
Qg@VG=10V Typ. (nC)
41
Qg@VG=4.5V Typ. (nC)
-