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MOSFET

PMS213N03TD

MOSFET

PMS213N03TD 为MOSFET,采用 DFN1006-3L 封装。

DFN1006-3L 符合 RoHS 无卤 现货供应
DFN1006-3L 3D package render
封装 — DFN1006-3L
产品特性
  • Advanced Trench Technology
  • Excellent RDS(on) and Low Gate Charge
  • ESD Protected: ±3KV
应用领域
  • Load Switch
  • WM Application
  • ower Management
关键规格
Product Name
PMS213N03TD
Package
DFN1006-3L
Category
N
VDS (V)
30
ID (A)
1
RDS(ON)@VG=10V Typ. (mΩ)
-
RDS(ON)@VG=10V Max. (mΩ)
-
RDS(ON)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
213
RDS(ON)@VG=4.5V Max. (mΩ)
256
VGS Max. (±V)
±10
VGS(TH) Min. (V)
0.4
VGS(TH) Typ. (V)
0.65
VGS(TH) Max. (V)
0.9
COSS Typ. (pF)
11
CISS Typ. (pF)
54
Qg@VG=10V Typ. (nC)
1.4
Qg@VG=4.5V Typ. (nC)
-
with_ESD
V