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MOSFET

PMS2R3N04JG

MOSFET

PMS2R3N04JG 为MOSFET,采用 PDFN5060-8L 封装。

PDFN5060-8L 符合 RoHS 无卤 现货供应
PDFN5060-8L 3D package render
封装 — PDFN5060-8L
产品特性
  • 40V, 110A
  • 增强模式
  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • 100% Avalanche tested, 100% rg tested
应用领域
  • Consumer electronic power supply
  • Motor control
  • Synchronous-rectification
  • Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems
  • Invertors
关键规格
Product Name
PMS2R3N04JG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS (V)
40
ID (A)
110
RDS(ON)@VG=10V Typ. (mΩ)
2.3
RDS(ON)@VG=10V Max. (mΩ)
3
RDS(ON)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
3.4
RDS(ON)@VG=4.5V Max. (mΩ)
4.4
VGS Max. (±V)
±20
VGS(TH) Min. (V)
1.3
VGS(TH) Typ. (V)
1.7
VGS(TH) Max. (V)
2.5
COSS Typ. (pF)
820
CISS Typ. (pF)
2440
Qg@VG=10V Typ. (nC)
47
Qg@VG=4.5V Typ. (nC)
24