EN · 繁中 · 简中
首页 产品 MOSFET PMS1R2N06TG
MOSFET

PMS1R2N06TG

MOSFET

PMS1R2N06TG 为MOSFET,采用 PDFN5060-8L 封装。

PDFN5060-8L 符合 RoHS 无卤 AEC-Q101 认证 现货供应
PDFN5060-8L 3D package render
封装 — PDFN5060-8L
产品特性
  • 60V, 360A
  • Low RDS(on) to minimize conduction losses
  • 增强模式
  • 100% Avalanche tested, 100% rg tested
  • Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize
  • switching losses
  • AEC-Q101 认证
应用领域
  • Consumer electronic power supply
  • Motor control
  • Synchronous-rectification
  • Current Switching in DC/DC & AC/DC Sub-systems
  • Invertors
关键规格
Product Name
PMS1R2N06TG
Package
PDFN5060-8L
Category
N
VDS (V)
60
ID (A)
325
RDS(ON)@VG=10V Typ. (mΩ)
1.2
RDS(ON)@VG=10V Max. (mΩ)
1.5
RDS(ON)@VG=4.5V Typ. (mΩ)
-
RDS(ON)@VG=4.5V Max. (mΩ)
-
VGS Max. (±V)
±25
VGS(TH) Min. (V)
2
VGS(TH) Typ. (V)
3
VGS(TH) Max. (V)
4.5
COSS Typ. (pF)
1180
CISS Typ. (pF)
5150
Qg@VG=10V Typ. (nC)
68
Qg@VG=4.5V Typ. (nC)
-