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齐纳二极管

PZD3V6E-F4

齐纳二极管

PZD3V6E-F4 为齐纳二极管,采用 DFN1006-2L 封装。提供精准电压箝位与基准,适用于保护与偏置电路。

DFN1006-2L 符合 RoHS 无卤 现货供应
DFN1006-2L 3D package render
封装 — DFN1006-2L
产品特性
  • 250mW Power Dissipation
  • High Voltages from 2.4 ~ 75 V
  • Designed for mounting on small surface
  • Extremely thin/leadless package
  • Constant voltage control
应用领域
  • Voltage regulation
  • 消费电子
  • Mobile phone
关键规格
Product Name
PZD3V6E-F4
Package
DFN1006-2L
Ptot (mW)
250
RthJA (°C/W)
417
Tj (℃)
-55 to150
VZ @ IZTMIN (V)
3.53
VZ @ IZTTYP (V)
3.6
VZ @ IZTMAX (V)
3.67
IZT (mA)
5
ZZT @ IZT (Ω)
90
ZZK @ IZK (Ω)
500
ZZK @ IZK (mA)
1
IR @ VR (uA)
5
IR @ VR (V)
1