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齐纳二极管

PZD10C3V9-D1

齐纳二极管

PZD10C3V9-D1 为齐纳二极管,采用 SOD123-FL 封装。提供精准电压箝位与基准,适用于保护与偏置电路。

SOD123-FL 符合 RoHS 无卤 现货供应
SOD123-FL 3D package render
封装 — SOD123-FL
产品特性
  • ower dissipation: 1000mW
  • 工作电压 range: nominal 3.9V ~ 100V
  • Silicon Power Zener diodes
  • Low Zener Impedance
应用领域
  • Voltage regulation
  • 波形 clipping
  • MOSFET gate protection
关键规格
Product Name
PZD10C3V9-D1
Package
SOD123-FL
Ptot (mW)
1000
RthJA (°C/W)
330
Tj (℃)
-55 to 150
VZ @ IZTMIN (V)
3.71
VZ @ IZTTYP (V)
3.9
VZ @ IZTMAX (V)
4.1
IZT (mA)
64
ZZT @ IZT (Ω)
20
ZZK @ IZK (Ω)
800
ZZK @ IZK (mA)
1
IR @ VR (uA)
120
IR @ VR (V)
1