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晶体管

MMBT3904JD

Transistor

MMBT3904JD 为Transistor,采用 DFN1006-3L 封装。

DFN1006-3L 符合 RoHS 无卤 现货供应
DFN1006-3L 3D package render
封装 — DFN1006-3L
产品特性
  • Capable of 100 mWatts of Power Dissipation and 200mA Ic
  • Operating and Storage Junction Temperatures: 55°C to 150°C
  • Epoxy Meets UL V-0 Flammability Rating
  • Ultra small Package DFN1006-3L
  • 符合 RoHS / Green EMC
应用领域
  • Switching Amplifier Applications
关键规格
Product
MMBT3904JD
Package
DFN1006-3L
Polarity
NPN
Pc (W)
0.1
IC (A)(Max.)
0.2
BVCEO (V)(Min.)
40
BVCBO (V)(Min.)
60
BVEBO (V)(Min.)
6
VCE(sat) (V)(Max.)
0.3
hFE
100~300